Résistivité - Historique des versions

Karima Rafes le 2 décembre 2020 à 17:33

2020-12-02T17:33:50Z

← Version précédente		Version du 2 décembre 2020 à 17:33
Ligne 163 :		Ligne 163 :

	Nous avons réalisé deux dépôts de cuivre avec deux méthodes différentes.La pulvérisation par HIPIMS efficace mais demande plus de vigilance au niveau des paramètres (puissance, courant, tension,…) tandis que celle par DC est plus performante pour un temps de pulvérisation plus court. Ayant obtenu un film détachable dans le deuxième cas, on conclut qu’il fallait faire un dépôt moins long et du coup diminuer la puissance du premier également. Nous avons fait une expérience donc ceci demande de la recherche, de la réflexion et des essais qui ne sont pas forcément tous réussis du premier coup. En ce qui concerne la valeur de la résistivité, cette dernière est presque identique pour les deux méthodes. La petite différence est dû au fait que l’épaisseur des deux films dans les deux méthodes ne sont pas les mêmes. En effet, la résistivité augmente lorsqu’on a une couche plus épaisse.		Nous avons réalisé deux dépôts de cuivre avec deux méthodes différentes.La pulvérisation par HIPIMS efficace mais demande plus de vigilance au niveau des paramètres (puissance, courant, tension,…) tandis que celle par DC est plus performante pour un temps de pulvérisation plus court. Ayant obtenu un film détachable dans le deuxième cas, on conclut qu’il fallait faire un dépôt moins long et du coup diminuer la puissance du premier également. Nous avons fait une expérience donc ceci demande de la recherche, de la réflexion et des essais qui ne sont pas forcément tous réussis du premier coup. En ce qui concerne la valeur de la résistivité, cette dernière est presque identique pour les deux méthodes. La petite différence est dû au fait que l’épaisseur des deux films dans les deux méthodes ne sont pas les mêmes. En effet, la résistivité augmente lorsqu’on a une couche plus épaisse.

			[[Catégorie:Article à améliorer]]
			[[Catégorie:Expérimentation]]
			[[Catégorie:Propriété des matérieaux]]

Nabila anki : /* Protocole de prise de mesure de la susceptibilité magnétique */

2020-12-01T20:32:35Z

Protocole de prise de mesure de la susceptibilité magnétique

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 20:32
Ligne 14 :		Ligne 14 :
	Pour les semi-conducteurs, elle décroît avec la température, la résistivité peut aussi dépendre de la quantité de rayonnement (lumière visible, infrarouge, etc.), absorbé par le composant.		Pour les semi-conducteurs, elle décroît avec la température, la résistivité peut aussi dépendre de la quantité de rayonnement (lumière visible, infrarouge, etc.), absorbé par le composant.

	== Protocole de prise de mesure de la ~~susceptibilité magnétique~~ ==		== Protocole de prise de mesure de la résistivité ==
	=== Principe ===		=== Principe ===

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

2020-12-01T20:14:25Z

Démarche éxprémentales

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 20:14
Ligne 34 :		Ligne 34 :
	==== Démarche éxprémentales ====		==== Démarche éxprémentales ====
	Pour créer un plasma homogène de forte densité, nous allons procéder à une pulvérisation High Power Impulse Magnetron		Pour créer un plasma homogène de forte densité, nous allons procéder à une pulvérisation High Power Impulse Magnetron
	[[Fichier:Matériel pour la pulvérisation cathodique.jpg\|~~bordeur~~\|vignette]]		[[Fichier:Matériel pour la pulvérisation cathodique.jpg\|matériel pulvérisation cathodique\|vignette]]
	(HIPIMS) et une Direct Current (DC). Le matériel utilisé pour ces deux méthodes est le même et la différence se fera au niveau de l’utilisation des compartiments et du magnétron. Dans le cas d’un DC, les atomes pulsés sont neutres et leur énergie se situe entre 0 et 10 eV. Le courant est continu et ne=1016 m-3, on augmente la densité de plasma pour ioniser les atomes et pouvoir gérer leur trajectoire. Dans le cas d’un HIPIMS, les atomes sont donc ionisés pendant un court temps et peuvent alors être polarisés ou non pour attirer les ions et contrôler leur énergie. Cette dernière est plus importante que lors d’un DC et si situe entre 0 et 100 eV avec ne=1020 m-3.		(HIPIMS) et une Direct Current (DC). Le matériel utilisé pour ces deux méthodes est le même et la différence se fera au niveau de l’utilisation des compartiments et du magnétron. Dans le cas d’un DC, les atomes pulsés sont neutres et leur énergie se situe entre 0 et 10 eV. Le courant est continu et ne=1016 m-3, on augmente la densité de plasma pour ioniser les atomes et pouvoir gérer leur trajectoire. Dans le cas d’un HIPIMS, les atomes sont donc ionisés pendant un court temps et peuvent alors être polarisés ou non pour attirer les ions et contrôler leur énergie. Cette dernière est plus importante que lors d’un DC et si situe entre 0 et 100 eV avec ne=1020 m-3.
	On distingue ici les deux chambres de pressions différentes à gauche. Leur pression est respectivement indiquée devant la pompe (en rouge) avec en premier celle de la petite enceinte et ensuite celle de l’enceinte principale. En dessous des chambres, il y a un refroidisseur d’eau, maintenu à 13°C, qui permet de baisser la température lors de la mesure car les aimants chauffent et on peut perdre les lignes de champs. Le magnétron est déjà installé ainsi que le cuivre que nous allons utiliser.		On distingue ici les deux chambres de pressions différentes à gauche. Leur pression est respectivement indiquée devant la pompe (en rouge) avec en premier celle de la petite enceinte et ensuite celle de l’enceinte principale. En dessous des chambres, il y a un refroidisseur d’eau, maintenu à 13°C, qui permet de baisser la température lors de la mesure car les aimants chauffent et on peut perdre les lignes de champs. Le magnétron est déjà installé ainsi que le cuivre que nous allons utiliser.

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

2020-12-01T20:09:38Z

Démarche éxprémentales

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 20:09
Ligne 34 :		Ligne 34 :
	==== Démarche éxprémentales ====		==== Démarche éxprémentales ====
	Pour créer un plasma homogène de forte densité, nous allons procéder à une pulvérisation High Power Impulse Magnetron		Pour créer un plasma homogène de forte densité, nous allons procéder à une pulvérisation High Power Impulse Magnetron
	[[Fichier:Matériel pour la pulvérisation cathodique.jpg\|vignette]]		[[Fichier:Matériel pour la pulvérisation cathodique.jpg\|bordeur\|vignette]]
	(HIPIMS) et une Direct Current (DC). Le matériel utilisé pour ces deux méthodes est le même et la différence se fera au niveau de l’utilisation des compartiments et du magnétron. Dans le cas d’un DC, les atomes pulsés sont neutres et leur énergie se situe entre 0 et 10 eV. Le courant est continu et ne=1016 m-3, on augmente la densité de plasma pour ioniser les atomes et pouvoir gérer leur trajectoire. Dans le cas d’un HIPIMS, les atomes sont donc ionisés pendant un court temps et peuvent alors être polarisés ou non pour attirer les ions et contrôler leur énergie. Cette dernière est plus importante que lors d’un DC et si situe entre 0 et 100 eV avec ne=1020 m-3.		(HIPIMS) et une Direct Current (DC). Le matériel utilisé pour ces deux méthodes est le même et la différence se fera au niveau de l’utilisation des compartiments et du magnétron. Dans le cas d’un DC, les atomes pulsés sont neutres et leur énergie se situe entre 0 et 10 eV. Le courant est continu et ne=1016 m-3, on augmente la densité de plasma pour ioniser les atomes et pouvoir gérer leur trajectoire. Dans le cas d’un HIPIMS, les atomes sont donc ionisés pendant un court temps et peuvent alors être polarisés ou non pour attirer les ions et contrôler leur énergie. Cette dernière est plus importante que lors d’un DC et si situe entre 0 et 100 eV avec ne=1020 m-3.
	On distingue ici les deux chambres de pressions différentes à gauche. Leur pression est respectivement indiquée devant la pompe (en rouge) avec en premier celle de la petite enceinte et ensuite celle de l’enceinte principale. En dessous des chambres, il y a un refroidisseur d’eau, maintenu à 13°C, qui permet de baisser la température lors de la mesure car les aimants chauffent et on peut perdre les lignes de champs. Le magnétron est déjà installé ainsi que le cuivre que nous allons utiliser.		On distingue ici les deux chambres de pressions différentes à gauche. Leur pression est respectivement indiquée devant la pompe (en rouge) avec en premier celle de la petite enceinte et ensuite celle de l’enceinte principale. En dessous des chambres, il y a un refroidisseur d’eau, maintenu à 13°C, qui permet de baisser la température lors de la mesure car les aimants chauffent et on peut perdre les lignes de champs. Le magnétron est déjà installé ainsi que le cuivre que nous allons utiliser.

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

2020-12-01T15:51:25Z

Démarche éxprémentales

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 15:51
Ligne 33 :		Ligne 33 :

	==== Démarche éxprémentales ====		==== Démarche éxprémentales ====
	Pour créer un plasma homogène de forte densité, nous allons procéder à une pulvérisation High Power Impulse Magnetron ~~Sputtering~~ (HIPIMS) et une Direct Current (DC). Le matériel utilisé pour ces deux méthodes est le même et la différence se fera au niveau de l’utilisation des compartiments et du magnétron. Dans le cas d’un DC, les atomes pulsés sont neutres et leur énergie se situe entre 0 et 10 eV. Le courant est continu et ne=1016 m-3, on augmente la densité de plasma pour ioniser les atomes et pouvoir gérer leur trajectoire. Dans le cas d’un HIPIMS, les atomes sont donc ionisés pendant un court temps et peuvent alors être polarisés ou non pour attirer les ions et contrôler leur énergie. Cette dernière est plus importante que lors d’un DC et si situe entre 0 et 100 eV avec ne=1020 m-3.		Pour créer un plasma homogène de forte densité, nous allons procéder à une pulvérisation High Power Impulse Magnetron
			[[Fichier:Matériel pour la pulvérisation cathodique.jpg\|vignette]]
			(HIPIMS) et une Direct Current (DC). Le matériel utilisé pour ces deux méthodes est le même et la différence se fera au niveau de l’utilisation des compartiments et du magnétron. Dans le cas d’un DC, les atomes pulsés sont neutres et leur énergie se situe entre 0 et 10 eV. Le courant est continu et ne=1016 m-3, on augmente la densité de plasma pour ioniser les atomes et pouvoir gérer leur trajectoire. Dans le cas d’un HIPIMS, les atomes sont donc ionisés pendant un court temps et peuvent alors être polarisés ou non pour attirer les ions et contrôler leur énergie. Cette dernière est plus importante que lors d’un DC et si situe entre 0 et 100 eV avec ne=1020 m-3.
	On distingue ici les deux chambres de pressions différentes à gauche. Leur pression est respectivement indiquée devant la pompe (en rouge) avec en premier celle de la petite enceinte et ensuite celle de l’enceinte principale. En dessous des chambres, il y a un refroidisseur d’eau, maintenu à 13°C, qui permet de baisser la température lors de la mesure car les aimants chauffent et on peut perdre les lignes de champs. Le magnétron est déjà installé ainsi que le cuivre que nous allons utiliser.		On distingue ici les deux chambres de pressions différentes à gauche. Leur pression est respectivement indiquée devant la pompe (en rouge) avec en premier celle de la petite enceinte et ensuite celle de l’enceinte principale. En dessous des chambres, il y a un refroidisseur d’eau, maintenu à 13°C, qui permet de baisser la température lors de la mesure car les aimants chauffent et on peut perdre les lignes de champs. Le magnétron est déjà installé ainsi que le cuivre que nous allons utiliser.
	L'échantillon peut être analysé sous forme solide s'il est assez petit (moins de 5mm) ou être broyé sous forme de poudre. Il est ensuite placé dans un porte-échantillon ovoïde (petite capsule en forme d'œuf). Puis, le tout est inséré et bloqué dans une paille en plastique. On peut alors placer la paille dans le magnétomètre pour acquisition.		L'échantillon peut être analysé sous forme solide s'il est assez petit (moins de 5mm) ou être broyé sous forme de poudre. Il est ensuite placé dans un porte-échantillon ovoïde (petite capsule en forme d'œuf). Puis, le tout est inséré et bloqué dans une paille en plastique. On peut alors placer la paille dans le magnétomètre pour acquisition.

Nabila anki le 1 décembre 2020 à 15:39

2020-12-01T15:39:06Z

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 15:39
Ligne 1 :		Ligne 1 :
	Création		Création
	* '''Page en travaux.'''

	== Descritption de la résistivité ==		== Descritption de la résistivité ==

Nabila anki : /* value */

2020-12-01T10:53:09Z

value

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 10:53
Ligne 102 :		Ligne 102 :
	</rdf>		</rdf>

	* Décrit la valeur de la ~~susceptibilité magnétique~~.		* Décrit la valeur de la résistivité.

	===== epaisseur =====		===== epaisseur =====

Nabila anki : /* sample */

2020-12-01T10:52:21Z

sample

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 10:52
Ligne 75 :		Ligne 75 :

	==== Propriétés====		==== Propriétés====

	~~===== sample =====~~
	~~<rdf>~~
	~~<sample> rdf:type rdf:Property .~~
	~~</rdf>~~

	* Décrit le nom de l'échantillon étudié.

	===== author =====		===== author =====

Nabila anki : /* Descritption de la résistivité */

2020-12-01T10:49:04Z

Descritption de la résistivité

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 10:49
Ligne 10 :		Ligne 10 :
	L'évolution de la résistivité avec la température dépend du matériau :		L'évolution de la résistivité avec la température dépend du matériau :

	~~pour~~ les métaux, à la température ambiante, elle croit linéairement avec la température. Cet effet est utilisé pour la mesure de température (sonde Pt 100) ;		Pour les métaux, à la température ambiante, elle croit linéairement avec la température. Cet effet est utilisé pour la mesure de température (sonde Pt 100) ;
	~~pour~~ les semi-conducteurs, elle décroît avec la température, la résistivité peut aussi dépendre de la quantité de rayonnement (lumière visible, infrarouge, etc.), absorbé par le composant.
			Pour les semi-conducteurs, elle décroît avec la température, la résistivité peut aussi dépendre de la quantité de rayonnement (lumière visible, infrarouge, etc.), absorbé par le composant.

	== Protocole de prise de mesure de la susceptibilité magnétique ==		== Protocole de prise de mesure de la susceptibilité magnétique ==

Nabila anki : /* cuivre */

2020-12-01T10:48:19Z

cuivre

← Version précédente		Version du 1 décembre 2020 à 10:48
Ligne 164 :		Ligne 164 :
	}		}
	}}		}}
	~~Nous avons réalisé deux dépots de cuivre avec deux méthodes différentes.~~

	La pulvérisation par HIPIMS efficace mais demande plus de vigilance au niveau des paramètres (puissance, courant, tension,…) tandis que celle par DC est plus performante pour un temps de pulvérisation plus court. Ayant obtenu un film détachable dans le deuxième cas, on conclut qu’il fallait faire un dépôt moins long et du coup diminuer la puissance du premier également. Nous avons fait une expérience donc ceci demande de la recherche, de la réflexion et des essais qui ne sont pas forcément tous réussis du premier coup. En ce qui concerne la valeur de la résistivité, cette dernière est presque identique pour les deux méthodes. La petite différence est dû au fait que l’épaisseur des deux films dans les deux méthodes ne sont pas les mêmes. En effet, la résistivité augmente lorsqu’on a une couche plus épaisse.

			Nous avons réalisé deux dépôts de cuivre avec deux méthodes différentes.La pulvérisation par HIPIMS efficace mais demande plus de vigilance au niveau des paramètres (puissance, courant, tension,…) tandis que celle par DC est plus performante pour un temps de pulvérisation plus court. Ayant obtenu un film détachable dans le deuxième cas, on conclut qu’il fallait faire un dépôt moins long et du coup diminuer la puissance du premier également. Nous avons fait une expérience donc ceci demande de la recherche, de la réflexion et des essais qui ne sont pas forcément tous réussis du premier coup. En ce qui concerne la valeur de la résistivité, cette dernière est presque identique pour les deux méthodes. La petite différence est dû au fait que l’épaisseur des deux films dans les deux méthodes ne sont pas les mêmes. En effet, la résistivité augmente lorsqu’on a une couche plus épaisse.
	~~nous~~ avons réalisé deux dépôts de cuivre avec deux méthodes différentes. La pulvérisation par HIPIMS ~~est~~ efficace mais demande plus de vigilance au niveau des paramètres (puissance, courant, tension,…) tandis que celle par DC est plus performante pour un temps de pulvérisation plus court. Ayant obtenu un film détachable dans le deuxième cas, on conclut qu’il fallait faire un dépôt moins long et du coup diminuer la puissance du premier également. Nous avons fait une expérience donc ceci demande de la recherche, de la réflexion et des essais qui ne sont pas forcément tous réussis du premier coup. En ce qui concerne la valeur de la résistivité, cette dernière est presque identique pour les deux méthodes. La petite différence est dû au fait que l’épaisseur des deux films dans les deux méthodes ne sont pas les mêmes. En effet, la résistivité augmente lorsqu’on a une couche plus épaisse.

Résistivité - Historique des versions

Karima Rafes le 2 décembre 2020 à 17:33

Nabila anki : /* Protocole de prise de mesure de la susceptibilité magnétique */

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

Nabila anki le 1 décembre 2020 à 15:39

Nabila anki : /* value */

Nabila anki : /* sample */

Nabila anki : /* Descritption de la résistivité */

Nabila anki : /* cuivre */

Nabila anki : /* Protocole de prise de mesure de la susceptibilité magnétique */

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

Nabila anki : /* Démarche éxprémentales */

Nabila anki : /* value */

Nabila anki : /* sample */

Nabila anki : /* Descritption de la résistivité */

Nabila anki : /* cuivre */